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活性金屬釬焊氮化硅陶瓷覆銅板

AMB(Active Metal Brazing,活性金屬釬焊)工藝利用釬焊料中含有的少量活性元素(例如,鈦Ti)與陶瓷反應生成能被液態釬焊料潤濕的反應層,從而實現陶瓷與金屬結合的一種方法。

AMB-Si3N4陶瓷覆銅電路板,具有高導熱、高絕緣、高熱容以及與芯片匹配的熱膨脹系數等特性,是功率半導體行業不可缺少的封裝材料。


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產品優勢

  • ●  可定制化,根據客戶要求匹配不同的陶瓷厚度,Cu層厚度以及表面處理方式

    ●  熱導率在 25°C 溫度條件≥ 80 W/m*K

    ●  在 40°C - 400°C 溫度范圍下,CTE 為 2.5~3.1 ppm/K

    ●  抗彎強度≥700MPa,具有更高的可靠性,適用于嚴苛的工況

    ●  可以釬焊0.8mm 以上的銅層,載流大,降低熱阻

    ●  通過選擇性鍍Ag表面處理,配套燒結Ag 工藝,完美適配SiC芯片

產品應用

  • ●  光伏風電

    ●  電動汽車

    ●  高端白色家電

  • ●  電網輸配電

    ●  牽引系統


技術參數

  • TCQ-WF-RD-01 產品規格書(AMB)
    TCQ-WF-RD-01 產品規格書(AMB)

    文件類型:pdf

    文件大?。?60 KB

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